استفاده از اکسید گیت L شکل در ترانزیستورهای MOSFET سیلیکون روی عایق جهت کاهش خازن های گیت
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 933
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PCCO01_197
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی با تکنولوژی سیلیکون روی عایق SOI-MOSFET پیشنهادی شده است. ایده اصلی در این ساختار در استفاده از اکسید گیت L شکل زیر فلز گیت است. این لایه اکسید L شکل با تغییر دادن خازن های ناحیه کانال رفتار ترانزیستور را بهبود می دهد به طوری که خازن های پارازتی گیت-درین و گیت- سورس را کم میکند و فرکانس قطع را افزایش می دهد و همچنین نتایج شبیه سازی های انجام شده نشان می دهد که می توان ماکزیمم دمای ترانزیستور را در مقایسه با ساختار پایه بهبود داد . این بهبودی ها به ویژه برای ولتاژهای بالای گیت بیشتر محسوس است. بنابراین نام ساختار پیشنهادی SOI- MOSFET با اکسید گیت L شکل LSO-SOI-MOSFET نام گذاری شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی نادری
استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه
بهروز عبدی تهنه
گروه مهندسی برق، دانشکده انرژی، دانشگاه صنعتی کرمانشاه