شبیه سازی ترانزیستور تک الکترون فرومغناطیس با روش معادله جامع در حد واهلش اسپین آرام
محل انتشار: اولین همایش ملی علوم و فناوری های نوین ایران
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 517
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PFCONF01_056
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
چکیده مقاله:
ترابرد الکترونی اسپین وابسته ترانزیستور الکترون منفرد با الکترودهای فرومغناطیس و حوزه نامغناطیسی بصورت تئوری با تونل زنی ترتیبی در حد واهلش اسپین آرام مورد بررسی قرار می گیرد. برای این کار از روش معادله جامع استفاده می گردد. مقاومت مغناطیسی تونلی، قطبش مغناطیسی حوزه، قطبش اسپینی جریان ایجاد شده به عنوان تابعی از ولتاژ بایاس و ولتاژ گیت بیان می گردند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیر رحیمیان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد قشم
نورالدین پورعلی
دانشگاه شهید بهشتی تهران، دانشکده فیزیک
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :