تقویت کننده کم نویز با رویکرد افزایش خطینگی در پهنای باند بالا

در این مقاله یک طراحی جدید روی ساختار تقویت کننده کم نویز صورت گرفته است. این مدار گستره ی فرکانسی 3 تا 11 گیگاهررتز راپوشش می دهد. افزایش خطینگی و کاهش نویز فیگر از چالش های اصلی تقویت کننده کم نویز می باشد. در این تحقیق با استفاده ازکاهش عوامل غیر خطی مانند g'm و g m در مدار و استفاده از قضیه جمع آثار، خطینگی مدار به شدت اصلاح شده است این درحالیست که نتایج شبیه سازی نشان می دهد که طرح پیشنهادی دارای نویز فیگر مناسب نیز می باشد. همچنین برای کاهش مصرفتوان، تقویت کننده از ساختار استفاده مجدد از جریان بهره می برد. برای ارزیابی ساختار پیشنهادی، شبیه سازی ها در تکنولوژی CMOS ، TSMC0.18um با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت انجام شده است. نتایج شبیه سازی مقدار گین 10.5 تا 13.5 دسی بل، نویز فیگر (NF) برابر 1.6 تا 3.4دسی بل ، نقطه تقاطع مرتبه سوم به مقدار 5 دی بی، تطبیق ورودی وخروجی کمتراز منفی 5 دسی بل را نشان می دهد. از آنجایی کهروش های خطی سازی پیشنهاد شده توان چندانی به تقویت کننده اضافه نمی کنند، ساختار پیشنهادی دارای توان مصرفی برابر 12.5 میلیوات می باشد.