مطالعه و بررسی افزایش آستانه تخریب لیزری آینه های بازتاب بالا
محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,142
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PHOTONICS03_088
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1389
چکیده مقاله:
لایه های نازک در تکنولوژی ساخت لیزر بطور گسترده ای برای ساخت انواع فیلترهای اپتیکی مورد استفاده قرار می گیرند یکی از فاکتورهای کیفی در مورد این فیلترها استانه تخریب لیزری آنها می باشد دراین مقاله تاثیر توزیع میدان الکتریکی در مقدار استانه تخریب لیزری مورد مطالعه قرارگرفته است برای انجام این کار یک فیلتر بازتاب بالا برای طول موج 532 نانومتر شامل لایه های MgF2/ZnS با دو طراحی متفاوت با استفاده از روش تبخیر تفنگ الکترونی ساخته و استانه تخریب لایه ها اندازه گیری شده و تاثیر چگونگی توزیع میدان الکتریکی روی استانه تخریب فیلتر مورد نظر بوضوح مشاهده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی مشایخی اصل
دانشکده علوم پایه،دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مهدی انارکی
مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران،تهران
جهانبخش مشایخی اصل
مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران،تهران
زهرا شفیعی زاده
مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران،تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :