بررسی خواص اپتیکی و ساختاری لایه نازک اسید مس لایه نشانی شده به روش کندو پاش مغناطیسی

دراین مقاله بررسی تاثیر دما و درصد گازواکنشی برخواص لایه نازک اکسید مس لایه نشانی شده به روش کندوپاش مغناطیسی گزاش شده است همچنین تغییرات سطحی و فازی نمونه ها تحت شرایط عملیات حرارتی بررسی شده است این تحقیق نشان میدهد که تغییرات دمایی در محدوده انجام ازمایش -25 الی 150 درجه سانتی گراد - تاثیر چندانی برخواص اپتیکی لایه ها نداشته ولی زبری سطوح با تغییر دما افزایش و کاهش داشته است از طرف دیگر تاثیر درصد گاز اکسیژن واکنشی در حین پراکنش برخواص اپتیکی قابل ملاحظه بوده بطوریکه با افزایش درصد گاز بالاتر از 5% اتمی پهنای باند نمونه ها کاهش یافته و نمونه ها از رنگ قهوه ای به سیاه تغییر ظاهر داده اندکه ظاهرا نشان از بیشتر شدن فاز CuO لایه است همچنین بعد از بازپخت در دمای 300 درجه پهنای باند نمونه افزایش پیدا کرده که می تواند بدلیل ازاد شدن اکسیژن های با پیوند ضعیف فیزیکی از سطح لایه باشد و نیز زبری سطح نمونه ها بعد از عملیات حرارتی افزایش داشته است.

کلیدواژه ها:

اکسید مس ، پهنی باند ، زبری سطح ، کندوپاش مغناطیسی لایه نازک