بررسی روش‌های لایه نشانی و اصلاح سطوح

ساخت لایه نازک یا همان لایه نشانی را می‌توان قابلیت کنترل اتم‌ها از منبع تا سطح زیر لایه تعریف کرد. دو نوع فرآیند اساسی لایه نشانی فیزیکی و شیمیایی در تهیه لایه‌های نازک وجود دارد. امروزه روش‌های گوناگونی برای لایه نشانی به کار می رود. در این مقاله سعی شده است روش‌های اساسی ساخت لایه‌های نازک به اختصار توضیح داده شود. لایه نشانی فیزیکی، براساس آثار کاملاً فیزیکی صورت می‌گیرد و شامل لایه نشانی تبخیر فیزیکی PVD کندوپاش می‌باشد. روش تبخییر فیزیکی شامل حرارتی، فرسایش لیزری، باریکه‌ی الکترونی و برآرایی باریکه‌ی مولکولی MBE می‌باشد. روش کندوپاش نیز شامل RF,DC و ماگنترون است. در مقابل، روش لایه نشانی بخار شیمیایی CVD تکیه بر گازهایی دارد که واکنش‌زا می‌باشند و مواد تشکیل دهنده‌ی ماده مورد نظر را به طرف سطح زیر لایه حمل می‌کنند آن‌ها با گازهای دیگر واکنش می‌دهند یا به طور مداوم به محصولات واکنش پایدار پاشیده می‌شوند که روی زیر لایه، لایه نشان می‌شوند. در اتاقک واکنش، عوامل واکنش زا در گاز حامل در سرتاسر زیرلایه جریان می‌یابند و یک واکنش شیمیایی یا مجموعه‌ای از واکنش‌ها رخ می‌دهند. درنتیجه انرژی به وسیله تعدادی منبع خارجی ، از قبیل دستگاه‌های تولید گرما یا تخلیه پلاسما تأمین می‌شود. چون محصولات خروجی از این فرایند اغلب سمی یا خورنده هستند، در نیتجه اغلب، روش‌های مخصوصی برای حصول اطمینان از غیر مخرب بودن مواد خروجی، برای محیط زیست مورد نیاز است.