ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

معرفی ساختار IGBT

محل انتشار: دومین همایش ملی ریاضیات و کاربردهای آن در علوم مهندسی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,853

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/420719

شناسه ملی سند علمی:

REGCMAES02_058

تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1394

چکیده مقاله:

IGBT به عنوان یک ترانزیستور با قابلیت هدایت در ناحیه جریان – ولتاز بالا و همچنین افت ولتاژ مستقیم متوسط (در حدود 8/1 ولت) قطعه ایده آلی باری بکارگیری در شکبه توزیع محسوب می شود. در کل، ساختار IGBT مشابه تریستورها، متشکل از دو ترانزیستور دو قطبی PNO، NPN و یک MOSFET با گیت عایق شده است. قابلیت تطبیق انواع تجهیزات حفاظتی در مدار اره اندازی گیت IGBT ها یکی دیگر از مزایای آنها به شمار می رود. این مقاله بررسی جامعی از ساختار IGBT را مورد تحقیق قرار داده است. در این مقاله ابتدا چارچوب و خصوصیات IGBT را توصیف می کنیم. اهمیت اصلی مقاله معرفی ویژگی های IGBT و در نهایت معایب و مزیای آن بیان می شود.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

مرتضی رحیمی سلکویه

کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان

میرمنصور ضیابری

استادیار، گروه برق، دانشگاه گیلان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • . A. R. Hefher, Jr., et al., "An experimentally verified ...
  • Gate Bipolar Transistor (IGBT): Theory and Design" IEEE Insulatedه [18]. ...
  • Meredith, J.R., and Mantel, S.J., " Management: A Managerial Approach", ...
  • . B.W. Scharf and J.D. Plummer, IEEE International Solid-State Circuits ...
  • . A.Nakagawa et al., "High voltage bipolar-mode MOSFETs with high ...
  • . R. W. Erickson and D. Maksimovic, Fundamentas ofPower Electronics, ...
  • . Rahul S. Chokhawala, Jamie Catt and Laszlo Kiraly, _ ...
  • . R. Chokhawala, J. Catt, and B. Pelly, "Gate drive ...
  • . C. Kuratli, Q. Huang, and A. Biber, _ _ ...
  • N. McNeil, K. Sheng, B. W. Williams, and S. J. ...
  • . A. Biber, C. Kuratli et al., _ gate drive ...
  • . by Carl Blake and Chris Bull, International Rectifier, "IGBT ...
  • . Professor, GGNIT, Greater Noida, " High-Voltage Switch Using S ...
  • . R. W. Erickson and D. Maksimovic, Fundamentas of Power ...
  • . N. Mohan, T. Undeland, W. Robbins, :Power Electronics Converters, ...
  • . Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins: "POWER ...
  • . Malay Trivedi and Krishina Shenai, "Trade-Off in IGBT Safe ...
  • . Malay Trivedi and Krishina Shenai, "IGBT Dynamics For Short-Circuit ...
  • . Ferroxcube, Ferroxcube 2009 Data Handbook Data Handbook Sot Ferrites ...
    • نمایش کامل مراجع