تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,129
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_215
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله به بررسی میزان نویز در مدارات LNA1 در سیستم های فرمانس بالا و ماکروویو که در ان ترانزیستور 2HEMT استفاده شده است، می پردازیم. میزان نویز ایجاد شده در این مدارات به دو صورت است: نویز داخلی ترانزیستور و نویز خارجی مدار این ترانزیستور دارای قابلیت بهره توان بالا در فرکانس های بالا است و نویز پذیری آن نیز به مراتب کمتر می باشد که امر موجب افزایش راندمان کاری این ترانزیستور در مدارات می باشد. در این مقاله با بررسی مدل سیگنال کوچک وسیگنال بزرگ و پارامترهای ذاتی و غیرذاتی میتوان ترانزیستور و مدارا آنرا تحلیل نمود تا بتوان از طریق نمودار 3S میزان نویز و دیگر پارامترها را می توان بدست آورد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد مرادی
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات سنندج
طیب نامداران
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
محمدمهدی کارخانه چی
استادیار ، دکترا ، الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :