آنالیز ساختار داخلی ترانزیستور HEMT
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,040
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_233
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
نوعی ترانزیستور اثر میدانی و یا اصطلاحا همان 1FET است که طوری طراحی شده که در فرکانس های مایکروویو کارآیی بالایی داشته باشد. از خصوصیات ویژه این ترانزیستور ضریب نویز کم در فرکانس های بالا و مایکروویو است. در فرکانس های بالا و نوسان کننده های مایکروویو عملکرد بسیار مطلوبی دارد و میزان نویز پذیری آن در این مدارات بسیار پایین است. مکانیسم کوانتومی این ترانزیستور مبتنی بر نوع مواد سازنده آن است که دو نوع از ترانزیستور HEMT را می توان با آن ساخت. مواد سازنده این ترانزیستور از قبیل : گالیوم- آرسنیک- ایندیوم- فسفات- نیترات- آلومنیوم می باشد. دو نوع ترانزیستو ر pHEMT و mHEMT را داریم و می توان با آنها مدارات فرکانس بالا را با نویز کم و توان بالا طراحی وشبیه سازی کنیم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حامد مرادی
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات
طیب نامداران
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات
ایمان پورداد
مقطع کاردانی ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه آزاد اسلامی
محمدرسول عیوضی
مقطع کاردانی ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه غیرانتفاعی جهاد دانشگاهی
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :