طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 540

فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

RSTCONF01_585

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ی کم نویز (LNA) باند باریک بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز برای کاربردوایمکس پرداخته شده است. در طراحی این LNA ، به منظور دستیابی به بهره ی بالا، از یک HJFET فوق کم نویز در توپولوژی سورس مشترک به صورت ساختار سه طبقه استفاده شده است. برای حداقل کردن عدد نویز تقویت کننده، شبکه ی تطبیق ورودی بهگونه ای طراحی شده که امپدانس دیده شده از ورودی به سمت منبع، برابر با امپدانس نویز بهینه گردد . شبکه های تطبیق با به کار گیری ترکیبی از خازن و خطوط انتقال مایکرواستریپ طراحی شده اند. پس از شبیه سازی به وسیله ی نرم افزار ADS ، بهره وعدد نویز به ترتیب49/06و0/328 دسی بل توان مصرفی 101 میلی وات و ضرائب VSWR ورودی وخروجی به ترتیب 1/08 و1/1 بدست آمده اند دراینجا به منظور مقایسه عملکرد تقویت کننده دوضریب شایستگی FOM1وFOM2 به ترتیب 66/79و96/59 محاسبه شدند که نسبت به طرح های پیشین اختلاف محسوسی دارند

کلیدواژه ها:

گیگاهرتز 3 ، 5 ، خطوط مایکرواستریپ ، تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا ، وایمکس ، HJFET

نویسندگان

سیدمحمدرضا ابطحی

دانشجو، کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران

نجمه چراغی شبرازی

مربی ، دکترای الکترونیک، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران

روزبه حمزه ئیان

مربی ، دکترای مخابرات، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • BWIGHz] S, [dB] 21 21 20 12 7/9 22/4 29/13 ...
  • /1-2/9 5/5-6/5 3/6 3/11 1/41 ...
  • Akhchaf, I., Khoulji, S., Essaaidi, M. and Larbi, M. (2012). ...
  • _ Balanis, C.A. (1982). Antenna Theory: Analysis and design, Harper ...
  • Bevilacqua, A. and Niknejad, A. M. (2004). An ultra wideband ...
  • mW 3-10 GHz common-gate CMOS UWB LN A using T-match ...
  • Gao, Y. Y. Zheng, and Ooi, B. (2007). A 0, ...
  • Huang1 Z. and Hung, C. (2011). CMOS Dual-Band Low Noise ...
  • Ismail, A. and Abidi, A. (20 04). A 3-1 . ...
  • Parvizi, M., Allidina, K. and El-Gamal, M. (2014). A Sub-mW, ...
  • Pozar, D. (20 01). Microwave and RF Wireless System. Third ...
  • Radmanesh, M. (20 07). RF & Microwave Design Essentials, PP. ...
  • Razavi, B. (1998). RF micro electronic, Prentice Hall, Inc. ...
  • Reiha, M. and Long, J. (2007). A 1, 2 V ...
  • Reinhold, L. and Bretchko, P. (2000). RF Circuit Design, pp. ...
  • RO30 03 TW, RO30 06 W, RO3010 TMand RO3035TM High ...
  • Sapone, G. and Palmisano, G. (2010). A 3-1 . -GHz ...
  • Silaj, S. (2012). Highly Lineac LNA Design for 4G WiMAX ...
  • Wei, M., Bormann, D., Kaehlert, S., Werth, T., Liao, L., ...
  • Wu, C.H., Chou, C.H., and Lyu, Y.G. (2010). A 4 ...
  • نمایش کامل مراجع