شبیه سازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 459

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

RSTCONF03_012

تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395

چکیده مقاله:

شبیهسازی، مدل ساختاری ناهمگون، اثر میدان، کرنش دومحوری، کانال کوتاه S-FED سبب بهبود مشخصه های الکتریکی افزاره خواهد شد. هدف پژوهش حاضر، شبیهسازی مدل ساختاری ناهمگون اثر میدان، با استفاده از کرنش دومحوری در کانال کوتاه به منظور بهبود جریان حالت روشن در ساختار اتصالات کناری اثر میدان بوده است. شبیهسازیهای عددی انجام شده با نرمافزارهای شبیهساز افزاره مانند ISE-TCADو Silvaco-ATLAS روش تحقیق در این پژوهش بوده است. برای نمایش بهتر خروجی نرمافزارهای شبیه ساز افزاره در MATLABبازنمایی شدند. برای اعتبارسنجی، نتایج حاصل شده با نتایج قبلی که توسط دیگران در پایگاه داده IEEE گزارش شده است، مقایسه گردید. نتایج بررسیهای انجام شده در این پژوهش نشان میدهد که در سیلیکان تحت کرنش، زیر Gate1بهبود نسبی قابلیت حرکت برای الکترون و حفره حاصل شده است، اگرچه زیر Gate2 قابلیت حرکت الکترون و حفره کاهش یافته است. در سیلیکان تحت کرنش، بهبود قابلیت حرکت زیر Gate1را می توان به کرنش و کاهش قابلیت حرکت زیر Gate2را می توان به اثرات ولتاژ گیت بالا نسبت داد. علاوه بر این قابلیت حرکت برای الکترون و حفره در لایه Si0.6Ge0.4نسبت به ساختار S-FEDافزایش یافته است.

نویسندگان

امیر ابراهیم زاده

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران مرکزی، گروه مهندسی برق، تهران

علیرضا کاشانی نیا

عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Azimi, S., Sandoughsaz, A., & Mohajerzadeh, S. (2011). Realization of ...
  • Chauhan, Y. S. (2007). Compact Modeling of High Voltage MOSFETs, ...
  • Currie, M. T., Samavedam, S. B., Langdo, T. A, Leitz, ...
  • Fitzgerald, E.A., Xie, Y.-H., Green, M.L., Brasen, _ Kortan, A.R., ...
  • Fossum, J.G., & Weimin, Z. (2003). Performance Projection of scaled ...
  • Hu, C., Chi, M. H., & Patel, V. M. (1984). ...
  • Langdo, T. A., & Lochtefeld, A. J. (2006). Methods of ...
  • Manavizadeh, N., Raissi, F, Asl Soleimani, E., Pourfath, M. _ ...
  • Welser, J., Hoyt, J.L, Takagi, S., & Gibbons, J.F. (1994). ...
  • نمایش کامل مراجع