ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,423
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SENACONF02_042
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله معرفی و مقایسه جدیدترین ساختارهای ترانزیستورهای اثر میدانی که توانائی بالائی در بهره برداری از ویژگی های منحصر به فرد گرافن دارند/ انجام شده است انالیزها در این مقاله بر اساس شبیه سازی میباشد که در مقیاس نانو معادله NANOTCAD ساختار با استفاده از شبیه سازی پایسون شرودینگر را با استفاده از تابع سبز غیر یکنواخت حل می کند و همچنین یک ترانزیستور اثر میدان کاملا دو بعدی با سدهای مختلف در ناحیه کانال با در نظر گرفتن تمام فاکتورهای موثر ازجمله برخوردها ظرفیت های خازنی پارازیت و پارامتر جهش و... شبیه سازی شده و نسبت جریان روشن به خاموش بزرگتر از 104 دست یافته شده است همچنین برتری این ساختار نسبت به ترانزیستورهای عمودی با کانال گرافنی و ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بررسی شده است.
کلیدواژه ها:
گرافن هگزا گونال برون نیترید هگزا گونال برون کربن نیترید ترانزیستور عمودی ترانزیستور دو بعدی
نویسندگان
بهناز موثق
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی نانو الکترونیک دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :