طراحی یک مدار مرجع ولتاژ بدون استفاده از ترانزیستور دو قطبی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 578
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
STCONF01_013
تاریخ نمایه سازی: 27 بهمن 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدار مرجع ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت بر اساس اختلاف ولتاژ گیت – سورس یک ترانزیستور از نوع PMOS و دو ترانزیستور از نوع NMOS ارائه شده است. به منظور کاهش مصرف جریان، المانهای پسیو این مدار به حداقل رسیده است و همچنین تمام ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. تغییرات ولتاژ خروجی مدار پیشنهادی بسیار پایین بوده و با تغییر ولتاژ تغذیه به اندازه ی 900mV ، ولتاژ خروجی فقط 90mV تغییر می کند. همچنین با تغییر دما از 40 - تا 120 درجه فقط 5mV تغییرات دارد به عبارتی تغییرات دمایی آن برابر 37ppm/°c می باشد. در این طرح، فقط از ترانزیستورهای ماسفت استفاده شده است و از هیچ ترانزیستور دو قطبی استفاده نشده است. ولتاژ تغذیه برابر1.8V بوده و ولتاژ خروجی 850mV می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امیررضا گائینی
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ساوه
مجید فولادیان
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات ساوه
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :