ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با گیت دی الکتریک نانو کامپوزیت هیبریدی اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 821

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

STSEE01_009

تاریخ نمایه سازی: 28 آذر 1392

چکیده مقاله:

در کار حاضر اکسید نیکل به روش سل ژل سنتز شده، و پلی وینیل پیرولیدن با نسبت وزنی 2و 21 به اکسید نیکل اضافه شده است. ویژگی نانوکامپوزیت های بهدست آمده با استفاده از تکنیکهای میکروسکوپ الکترونی روبشی) SEM ) و پراش پرتو ایکس) XRD ( و نرم افزار X-Powder مورد ارزیابی قرار گرفته شد. نتایج نشان داده است نانو کامپوزیت اکسید نیکل/ پلی وینیل پیرولیدن با نسبت وزنی 2:2 به دلیل دارا بودن مورفولوژی سطح خوب و استحکام مکانیکی بالا با توجه به رابطهی هال پچ نمونهی بهتری برای جایگزینی در گیت دی الکتریک ترانزیستور است

کلیدواژه ها:

گیت دی الکتریک ، نانو کامپوزیت هیبریدی ، ترانزیستوزهای اثر میدانی آلی

نویسندگان

مریم درخشی

دانشگاه مازندران،علوم پایه، کارشناسی ارشد گروه فیزیک

محدثه جمالی

دانشگاه مازندران،علوم پایه، کارشناسی ارشد گروه فیزیک،

علی بهاری

دانشگاه مازندران،علوم پایه، عضو هیئت علمی گروه فیزیک،

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • G. Shan, Y. wang, W. Huang, "Electronic transport ...
  • W. Wang, G. Dong, L. Wang, Y. Qio, "Pentacene thin-film ...
  • A. Bahari and R Gholipur;" Electrical and Optical properties of ...
  • نمایش کامل مراجع