طراحی یک تقویت کننده عملیاتی جدید برای کاربرد در مدارهای ولتاژ مرجع
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 521
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TECCONF03_011
تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397
چکیده مقاله:
یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ، طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر به خوبی تعریف شده می باشد. برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام شود، معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شوند. این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند. در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارایه می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدسعید میرهادی
گروه مهندسی برق، واحد بروجرد ، دانشگاه آزاد اسلامی، بروجرد ، ایران
محمدرضا امینی
استادیارگروه مهندسی برق، واحد بروجرد ، دانشگاه آزاد اسلامی، بروجرد ، ایران