طراحی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با تکنولوژی CMOS-0.18μm
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 419
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TECCONF03_036
تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی3-12GHz با گین18dB و عدد نویز 1.63-1.96dB با استفاده از تکنولوژی CMOS-0.18μm طراحی و شبیه سازی شده است. در این مدار، ترکیبی از تکنیک حذف نویز و استفاده مجدد جریان برای کاهش نویز و توان مصرفی استفاده شده است، درحالی که گین و خطسانی بهبود قابل توجهی یافته است. منبع نویز غالب، با تکنیک حذف نویز، از بین میرود. علاوه بر این، تطبیق امپدانس ورودی مطلوب با استفاده از هر دو تکنیک سلف سورس دیجنریت شده و فیدبک مقاومتی بدست آمده است. تطبیق امپدانس ورودی کمتر از-10dB می باشد. توان مصرفی تقویت کننده از منبع ولتاژ1.8V، 23.23mW میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مجتبی صادقی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
زهرا عادل پور
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران