مدار مبدل سطح منطقی باتوان مصرفی پایین CMOS

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 761

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

TEDECE01_203

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله یک مدار مبدل سطح با سرعت بالا تو توان مصرفی پایین ارائه شده اس . از ویژگی های این مدار کاهش جریان اتصال کوتاه است . چرا که این جریان باعث می شود تا سرعت کاهش و توان مصرفی افزایش یابد . همچنین سادگی عملکرد این مدار از دیگر ویژگی های آن می باشد . سرعت و انرژی مصرفی این مدار با دیگر مبدلهای سطح ولتاژ LC ها مقایسه شده است . که LC مورد نظر از لحاظ کارایی در شرایط بسیار بهتری نسبت به دیگر LC ها دارد شبیه سازی ها درمحیط Cadence 5.14.1 وبرای تبدیل ولتاژ مابین تغذیه های VDDL = 1/8V و VDDH = 2/1V انجام شده اند تکنولوژی مورد استفاده تکنولوژی nm CMOS180 است

نویسندگان

مهدی صفاری

دانشگاه شهیدبهشتی

علیرضا حسن زاده

دانشکده برق دانشگاه شهیدبهشتی

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ _ _ LSIs", IEEE JOURNAL OF S OLID-STATE CIRCUITS, ...
  • En ergy-Efficent An؛" [3] Wooters, B Calhoun and T. Blalock, ...
  • Shafqat Ali, Steve Tanner and Pierre Andre Farine "A Robust, ...
  • نمایش کامل مراجع