بررسی نقش اتصالات داخل تراشه های CMOS دراتلاف توان وروشهای کاهش توان مصرفی با استفاده ازمدارهای پیشرفته ارسال ودریافت سیگنال بادامنه نوسان پایین

در این مقاله مدارهای ارسال و دریافت سیگنال،با الگوی هدایت سیگنال روی خطوط اتصال،بررسی می شود . در تکنولوژی 081 نانومتر سیماس با ولتاژ تغذیه 0.8 ولت، بازای مقادیر مختلف ولتاژ سوئینگ ورودی ( از 1.0 تا 1.0 ولت(،توان مصرفی و تاخیر افزایش خواهد یافت. استفاده ماز جنس سیم با مقاومت ویژه ک ، میتواند تا 53 درصد، منجر به کاهش تاخیر و توان مصرفی حاصل از آن گردد . از امتیازات الگویmj.sib در مقایسه باسایرالگوها داشتن یک منبع ولتاژ و یکولتاژ استانه است که درطراحی مدارهای توان پایین یک برتری محسوب میشود

کلیدواژه ها:

سیگنال دهی اتصالات داخلی در تراشه ، گذرگاه درایور سیگنال ، گذرگاه گیرنده سیگنال ، مدار مبدل سطح ، UDLD