بهبود عملکرد ترانزیستورها درتکنولوژی نانو الکترونیک
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 543
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_209
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
در این مقاله روش جدیدی برای بهبود ویژگیهای ترانزیستورهای گرافنی ارائه شده است. در روش پیشنهادی از ناخالصی AlN به جای Al2o3 استفاده شده است. این امر باعث شده در خصوصیات ترانزیستور گرافنی تغییراتی ایجاد شود. ترانزیستور گرافنی جدید با استفاده از نرم افزار متلب شبیهسازی شده و خصوصیات ترانزیستور گرافنی مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج شبیهسازی نشان می دهد که نسبت جریان به ولتاژ درین-سورس، ولتاژ Vbg و همچنین فاصله همینگ نسبت به نتایج ارائه شده در مقالات قبل بهبود یافته است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
افسانه رحیمی حقیقی
موسسه آموزش عالی جهاد دانشگاهی اصفهان
عبدالحسین رضائی
جهاد دانشگاهی واحد صنعتی اصفهان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :