طراحی تقویت کننده کم نویز با ساختار کسکود تا شده با پیاده سازی روش خطی سازیgm

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 710

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

TEDECE01_288

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

در این مقاله روند طراحی یک تقویت کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین gds حائز اهمیت می شود در حالی که در ولتاژهای بالا این پارامتر تاثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی IIP3 بهبود می یابد این روش خطی سازی درصدد افزایش رسانایی درین است که می توان با استفاده از فیلتر LC و نیز استفاده از ساختارهای Folded به این مهم دست یافت. البته روش ارائه شده برای کاربردهای ولتاژ پایین بسیار عملی است؛ این در حالی است که علی رغم افزایش خطینگی باعث افزایش توان مصرفی نمی شود. تقویت کننده ارائه شده در فرکانس GHz 2.4 تکنولوژی nm 180- طراحی شده است. نتایج شبیه سازی مقدار dB 15.1 بهره مقدارIIP3نیز dBm1 عدد نویز کمتر ازdB4 در پهنای باند موردنظر و توان مصرفی کمتر از mW 6.71 را نشان می دهد

کلیدواژه ها:

خطی سازی ، تقویت کننده کم نویز ، transconductance nonlinearity cancellation

نویسندگان

محمدحسین مسکراف

دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سجاد، مشهد، ایران

عباس گلمکانی

استادیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سجاد، مشهد، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • of CMOS for RF application, ; IEEE Trans. Microw. Theory ...
  • Y. M. Kim, H. Han, and T. W. Kim, :A ...
  • S. Lou and H. C. Luong, _ linearization technique for ...
  • Microw. Wirel. Components Lett, , vol. 16, no. 11, pp. ...
  • نمایش کامل مراجع