ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربن در حالت غیربالستیک با استفاده از نرم افزار FETToy

محل انتشار: کنفرانس ملی فن آوری، انرژی و داده با رویکرد مهندسی برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 594

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/396401

شناسه ملی سند علمی:

TEDECE01_480

تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394

چکیده مقاله:

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را در شرایط بالستیک می توان با استفاده از مدل مرجعFETToy با حل خودسازمانده بین معادله پواسن و معادله انتقال بار شبیه سازی نمود. در روش فوق از اثرات جریان تونل زنی نوار به نوار صرفنظر می شود. در این مقاله با وارد نمودن جریان تونلی در نرم افزار شبیه ساز، اثر آن را بر روی جریان ترانزیستور مشاهده می کنیم. همچنین اثرات پراکندگی الاستیک و کرنش را نیز درنرم افزارFETToy وارد و اثرات آن را بر روی عملکرد افزاره مشاهده و مورد بررسی و مقایسه قرار خواهیم داد

کلیدواژه ها:

پراکندگی الاستیک ، تونل زنی نوار به نوارBTBT ، کرنش ، نانولوله کربن CNT ، FETToy

نویسندگان

مریم غفاری

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران

سیدصالح قریشی امیری

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران

رضا یوسفی

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد نور، دانشگاه آزاد اسلامی مازندران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • L. Latessa, A. Pecchia, Carlo A. Di., 'DFT modeling of ...
  • O. Siyuranga, S. Koswatta, D. Nikonov, M. Lundstrom, "Computational study ...
  • Anisur Rahman, Jing Guo, Supriyo Datta, and Mark S. Lundstrom ...
  • Phaedon Avouris, Joerg Appenzeller, Richard Martel, and Shalom J.Wind. Carbon ...
  • Arijit Raychodhury and Kaushik Roy. Carbon nanotube ...
  • Fundamental Theory and Applications, 54(1 1)2391-2401, nov 2007. ...
  • I. Hassaninia, M.H. Sheikhi, Z. Kordrostami, "Simulation of carbon nanotue ...
  • R. Yousefi, K. Saghafi, M.K. Moravvej -Farshi, "Numerical sto dy ...
  • effect transistors", Trans. Electro, Dev., Vol. 57, pp.765-771, 2010. ...
  • _ _ _ _ pp.1853-1864, 2003. ...
  • Jean-Christophe Charlier, Xavier Blase, and Stephan Roche. _ _ nanotubes. ...
  • _ _ _ Based on a Single ...
  • Carter T. White and Tchavdar N. Todorov. Carbon nanotubes as ...
  • Jie Jiang, Jinming Dong, H.T Yang, and D.Y Xing. Universal ...
  • Islamshah Amlani, Jonathan Lewis, King Lee, Ruth Zhang, Jie Deng, ...
  • _ _ effect transistors. Applied Physics Letters, 88(11):1 13507-1-3, March ...
  • J. Knoch, S. Mantl, and J. Appenzeller, "Comparison of transport ...
  • Electron., vol. 49, no. 1, pp. 73-76, Jan. 2005. ...
  • J. Chen, C. Klinke, A. Afzali, and P. Avouris, "Self-aligned ...
  • Tom J. Kazmierski, Dafeng Zhou, Bashir M. Al-Hashimi and Peter ...
    • نمایش کامل مراجع