شبیه سازی ومشخصه یابی دیود سد شاتکی AlGaN/GaN
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 860
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TEDECE01_555
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
چکیده مقاله:
باپیشرفت روزافزون سرعت درمدارهای الکترونیکی به افزاره ای درصنعت الکترونیک به نام دیودهای سدشاتکی پردخته خواهد شد همانطور که توضیح داده میشود دیود شاتکی ازدوقسمت نیمه هادی وفلز تشکیل میشود تفاوت این مقاله بادیگر مقاله ها درنوع نیمه هادی و فلز بهکاررفته درساختاروتشکیل سدشاتکی می باشد ساختاراین دیود ازدوقسمت نیمه هادی باماده GaN والیاژهایی با مواد AlGaN تشکیل شده است مادراینجا به شبیه سازی ساختاروبررسی منحنی مشخصه جریان ولتاژ این قطعه الکترونیکی دربایاس مستقیم و معکوس می پردازیم عملکرداین ساختار دردماهای مختلف و همچنین نتایج و پارامترهای استخراج شده ازشبیه سازی ها نیز بررسی خواهد شد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی فتاح حصاری
دانشگاه شاهرود
علی حلاج زاده
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر موسسه آموزش عالی پویش
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :