بررسی و محاسبه تیوری ولتاژ شکست حالت روشن در افزاره سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر

شکست در افزاره های ماسفت سیلیکون روی عایق بر اثر جریان یونیزاسیون برخوردی الکترون ها در نزدیکی ترمینال درین ایجاد می شود که توسط ترانزیستور دو قطبی پارازیتی تقویت می شود. ولتاژ شکست پایین، یکی از مشکلات مهم در افزاره های کانال کوتاه می باشد. افزاره های ماسفت سیلیکون روی عایق، بر اثر پدیده بدنه شناور، در مقایسه با افزاره های ماسفت بدنه سیلیکون شکست متفاوتی دارند. در این مقاله مکانیسم شکست در افزاره های سیلیکون روی عایق بررسی شده و فرآیند شکست را مدل سازی کرده ایم و به طور مفصل به بررسی مکانیسم شکست حالت روشن و تاثیر مقاومت بدنه بر این مکانیسم در افزاره های سیلیکون روی عایق با طول کانال 45نانومتر پرداخته شده است، تاثیر مقدار مقاومت بدنه بر ولتاژ شکست حالت روشن، به صورت تیوری بررسی شده است.

کلیدواژه ها:

ماسفت ، سیلیکون روی عایق ، بدنه سیلیکون بالک ، ولتاژ شکست حالت روشن ، مقاومت بدنه