نجمه السادات تقوی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
فاطمه راضی آستارایی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
اعظم ایرجی زاد - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا
فرشته رحیمی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

تخلخل هایی از ابعادمیکرونی به روش الکتروشمیایی ب استفاده از محلول پایه ی شامل DMF (دی متیل فرمامید) و اسید HF بر روی پایه های سیلیکون نوع P ایجاد گردید. با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی تاثیر پارامترهای مهم مانند زمان خوردگی، چگالی جریان ، غلظت اسید و نوع الکترولیت بر ساختارتخلخل حاصل بررسی شد. افزایش زمان خوردگی باعث نازک تر شدن دیواره های سیلیکونی و افزایش ضخامت لایه متخلخل می شود. در حالی که افزایش چگالی جریان الکتریکی موجب شکل گیری بهتر سوراخ ها و منظم تر شدن آنها میشود. با افزایش غلظت اسید برخی دیواره های سیلیکونی ریزش کرده و سوراخ ها بزرگ می شوند . همچنین در این مطالعه مشخص شد کمه محلول DMF نقش بسیار مهمی درتشکیل حفره های میکرونی دارد.