مهدی اسکویی - دانشگاه صنعتی شریف
آوازه هاشملو - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز

در رشد لایه های نازک نیمه هادی و استفاده آنها در صنعت لیزرهای نیمه هادی بدلیل ناخوانا بودن ثابت شبکه های بلوری در لایه های رشد داده شده،تنش و کشش ایجاد می شود که خود باعث تغییر ساختار باندها و زیر باندهای انرژی دربلور نیمه هادی می گردد . برای محاسبه باندها و زیر باندها از اثر جفت شدگی اربیت - اربیت برای زیر باندهای حفره - سنگین HH و حفره - سبک LH ظرفیت صرفنظر نکرده ایم؛اما از اثر جفت شدگی اسپین - اربیت دو زیر باند ذکر شده با زیر باند شکافتی در k =0 چشم پوشی کرده ایم؛زیرا انرژی شکافتی بین این باند و باندهای دیگر در حدی است که در فرایند هایی مانند بهره در لیزرهای نیمه هادی شرکت نمی کند و یا نقش بسیار کوچکی دارد