مرتضی ایزدی فر - دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
ایرینا بایانوا - دانشکده فیزیک و سنجش اندازه گیری ، دانشگاه لینکشوپینگ ، سوئد

در این مقاله نقص های تشکیل ش ده در حین فراین د رش د در نیمرسانای جدید AlGaNP که توسط روش روآراستی پرتوـ ملکولی رشد داده شده ا ست به کمک نتـایج حاصل از اندازه گیریهای تجربی فوتولومینسانس (PL) و نیز تشدید مغناطیسی آشکار شده به روش اپتیکی(ODMR) مورد مطالعه قرار گرفته اند . وابـستگی طیفهـا بـه مقادیر آلومینیوم (Al) م وجود در نمونه ها و نیز درجه حرارت نشان می دهد که دو مرکز پارامغناطیسی مج زا که نقص های موجود در شبکه را تشکیل می دهند در نمونـه ها وجود دارند . بررسی طیفهای تقریبĤ همگن ثبت شده در ازمایشات ODMR و توافق منحنی های تئوری و عملی بدست آمده نشان می دهد که ایـن نقـصها دو گـروه اتمهای گالیم (Ga) میانینی هستند که در فرایند رشد بوجود آمده ا ند یعنی Gai−A (i) : که توسط اتمهای گروه Gai−B (ii)و IIIکه توسـط اتمهـای گـروهV و یا اتمهای گروه V و III احاطه شده اند.