سعیده اصغری - گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
عبدالله مرتضی علی - گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران
رضا ثابت داریانی - گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا ( س ), تهران

سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید . تا کنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فتولومینسانس (PL) انجام شده، اما هنوز ساز و کار آن دقیقا " مشخص نیست . به نظرمی رسد که تخلخل، به عنوان ناهمواری سطحی در ابعاد چند نانومتر، اثرات کوانتومی در فرآیند جذب برای محاسبه ثابت های اپتیکی بررسی می شود و پس از محاسبه ثابت های اپتیکی برای سیلیکان و سیلیکان [1] نشان می دهد . در این مقاله ابتدا روش کرامرز - کرونیگ PS و انعکاس از متخلخل به بررسی نتایج و مقایسه آنها در مورد سیلیکان و سیلیکان متخلخل می پردازیم