کاظم جمشیدی قلعه - گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
نسترن منصور - گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید بهشتی تهران

پاسخ غ یرخطی ش یشه های س یلیکات آلاییـ ده بـا عناصـر قل یـ ایی : ) Na2O-CaO-SiO2 سـد یم سـ یلیکات ) ، ) K2O-CaO-SiO2 پتاسـ یم سـ یلیکات ) و ) Cs2O-CaO-SiO2 سـز یم سیلیکات ) تحت تابش با تپها ی لیزری 200 فمتوثان یه و طول موج 800 نانومتر بررس ی شده است . نتایج تجرب ی نشان م ی دهند که برا ی سز یم سـ یلیکات رفتـار غ یرخطـ ی از انرژی تپ بالاتر از 35 م یکرو - ژول، برا ی پتاس یم س یلیکات 60 م یکرو - ژول و برا ی سد یم س یلیکات 70 م یکرو - ژول ظاهر م ی شود . برای توج یه رفتار غ یرخطی مشاهده شده مدل جذب -3 فوتون ی با در نظر گرفتن جذب الکترونهای آزاد تولید شده ارائه شده است . ضرایب جذب -3 فوتونی و سطح مقطع جـذب الکترونهـا ی آزاد تولیـ ده شـده برای هر سه نمونه مورد آزمایش گزارش شده است .