هاجر توحیدی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، گروه فیزیک، دانشگاه زنجان
لاله سمیعی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
امید اخوان - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
روح ا... عظیمی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

در این تحقیق، خواص اپتیکی و الکتروکرومیکی ذرات اکسید مس ساخته شده در لایه نازک SiO2 به روش سل - ژل بررسی گردید . خواص نوری لا یه های تهیه شده، توسط دستگاه اسپتکروفوتومتر مطالعه شد . در دمای 220 °C ، نمونه ها شفاف و سبزکم رنگ با درصد عبور حدود 85% با گاف انرژی ، 3/2 eV بدست آمدند .. با افزایش دما، گاف انرژی کاهش یافته بطوریکه در دمای 250 °C ، این گاف به 2/2 eV تقلیل یافته است . خواص سطحی نمونه هابا استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) ، مورد ارزیابی قرار گرفت ومیانگین اندازه ذرات بعد از پخت در دمای 220 ° C ، حدود 50 nm اندازه گیری شد . خاصیت الکتروکرومیکی لایه ها با استفاده از دستگاه طیف سنج نور مرئی - فرابنفش و یک سل حاوی الکترولیت اسید سولفوریک تحقیق شد . میزان عبور لایه های تهیه شده به ازای ولتاژهای مختلف بررسی شد و برای 4 V ، در طول موج ثابت 500 نانومترحدود 50 درصد کاهش نشان داد .

اکسید مس، الکتروکرومیک، لایه نازک، سل - ؤل