رستم مرادیان - گروه فیزیک ، دانشکده عل
سام آزادی - مرکز تحقیقات نانوتکنولوژی و علوم نانو ، دانشگاه رازی ، کرمانشاه ، مر

در این مقاله نقش نقص ) S – W D ) Stone – Wale در کاهش گاف انرژی کربن نانوتیوب تک دیواره ) ) SWCNT بررسی شده است . سه نوع نقصStone – Wale درنظر گرفته شده است . در نوع اول هفت ضلعی S – W Dنسبت به محور نانوتیوب 60 ساعتگرد چرخیده است . در نوع دوم S – W D در جهت محور نانوتیوب است . در نوع سوم هفت ضلعی S – W D نسبت به محور نانوتیوب 60 0 پاد ساعتگرد چرخیده است . دریافتیم که در درصدهای پایین S – W D نوع دوم بیشتر از نوع اول و سوم باعث کاهش بیشتر گاف انرژی می شود . اما در درصدهای بالای S – W D هر سه نوع در کاهش گاف انرژی دارای نقش تقریبا یکسانی هستند . با ایجاد S – W D می توان گاف انرژی نانولوله های کربنی نیمه رسانا را کنترل کرد .