علی باقی زاده - آزمایشگاه واندوگراف، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای
داود آقاعلی گل - آزمایشگاه واندوگراف، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای
علی اکبر دبیرزاده - آزمایشگاه طراحی و ساخت تجهیزات هسته ای، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای
محمد فرمهینی فراهانی - آزمایشگاه واندوگراف، پژوهشکده علوم هسته ای، پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای

در این مقاله آسیب ایجاد شده بر اثر کاشت ناخالصی ژرمانیوم با دو دز و انرژی متفاوت را در تک بلور سیلیسیم بررسی می نماییم . پروفایل اتم های سیلیسیم جابجا شده از مکان شبکه ای خود بر حسب عمق بعد از کاشت یون به دست می آید . نتایج به دست آمده با محاسبات نرم افزار TRIM و پیشگویی مدل اصلاح شدهKinchin-Pease مقایسه می گردد . همچنین در این مقاله سعی شده است تا اثر دز و انرژی یون های کاشت شده در ایجاد آسیب بلوری بررسی گردد . اثر بازپخت حرارتی بر ترمیم بلوری شبکه سیلیسیم نیز مطالعه می گردد