صادق دانا - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بهبهان - گروه فیزیک
ابوالحسن نازش - دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران - گروه فیزیک

انرژی بستگی ناخالصی ها در سیم کوانتومی GaAs/Ga1-xAlxAs با استفاده از روش المانهای محدود محاسبه گردیده است . در این مقاله از نظریه تقریب جرم موثر استفاده شده و ارتفاع سد پتانسیل را محدود در نظر گرفته ایم . انرژی بستگی بر حسب موقعیت های مختلف ناخالصی در سیم کوانتومی محاسبه و نتایج با سایر مقادیر نظری مقایسه گردیده است .