افسون صعودی - آزمایشگاه لایه نازک ، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران، دانشکده
شمس الدین مهاجرزاده - آزمایشگاه لایه نازک ، دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه تهران
عزت اله ارضی - دانشکده فیزیک دانشگاه تهران

تولید نانوذرات سیلیکات روی آلاییده با منگنز به روش واکنش حالت جامد و تولید سولفید روی غیر آلاییده به روش سل ژل بررسی شده است . همچنین خواص نوری لایه نازک سیلیکات روی که با دستگاه کندوپاش لایه نشانی شده و تحت فرایند هیدروژن دهی قرار گرفتهاند مورد مطالعه قرار گرفته است . اندازهگیریها تولید ذرات با شعاع 10 تا 20 نانومتر را نشان دادهاند . با توجه به طیف فوتولومینسانس این مواد، قله تابش در 593 نانومتر مشاهده شده است که بیانگر آن است که میتوان آنها را به عنوان فسفر سبز در فناوری نمایشگرها مورد استفاده قرار داد .