در اين مقاله افزاره بديع ماسفت دو گيتي يونيزاسيون برخوردي نوع (DG p-IMOS) p با فناوري سيلسيم بر روي عايق (SOI ( پيشنهاد گرديده است . شبيه سازيهاي انجام شده در دماي 400 K بيانگر آن است كه اين افزاره در مقايسه با ماسفت تك گيتي يونيزاسيون برخوردي نوع (SG p-IMOS ) p متنـاظر خود، داراي شيب زيرآستانه و ولتاژ آستانه كمتري است . به علاوه DG p-IMOS نسبت جريان حالت روشـن بـه حالـت خـاموش (ION / IOFF) و نيـز هدايت انتقالي بيشتري در مقايسه با SG p-IMOS دارد . كاهش ضخامت بدنه در DG p-IMOS سبب كاهش ولتاژ آستانه و افزايش نسبت جريان حالـت روشن به حالت خاموش(ION / IOFF) مي گردد . همچنين ولتاژ آستانه افزاره به ازاء فاصله ثابت بين سورس و درين، با كاهش طول گيت كاهش مي يابد

كلمات كليدي: