ضخامت اكسيد سيليكون در ترانزيستورهاي CMOS فعلي حدود 1 /2 نانومتر است و عواملي باعث محدود شدن كارايي اكسيد فوق نازك سيليكون در توليدات آتي CMOS مي شود . اما تاكنون هيچ عايق دي الكتريك ديگري نتوانست در عمل جايگزين خوبي براي اكسيد سيليكون باشد . بنابراين همچنان نياز به رشد اكسيد سيليكون فوق نازك حدود 1 nm و نازكتر مي باشد . لذا در اينجا به رشد اكسيد سيليكون درشرايط فوق خلاء پرداختيم وتوانستيم اكسيد سيليكون فوق نازكي بر زير لايه ي سيليكون رشد دهيم كه يك رشد خود - محدودكننده اي را نشان داده است

كلمات كليدي: