فرشید مفیدنخعی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
ماندانا رودباری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
علی پهلوان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساری
علی بهاری - گروه فیزیک دانشگاه مازندران، بابلسر

ضخامت اکسید سیلیکون در ترانزیستورهای CMOS فعلی حدود 1 /2 نانومتر است و عواملی باعث محدود شدن کارایی اکسید فوق نازک سیلیکون در تولیدات آتی CMOS می شود . اما تاکنون هیچ عایق دی الکتریک دیگری نتوانست در عمل جایگزین خوبی برای اکسید سیلیکون باشد . بنابراین همچنان نیاز به رشد اکسید سیلیکون فوق نازک حدود 1 nm و نازکتر می باشد . لذا در اینجا به رشد اکسید سیلیکون درشرایط فوق خلاء پرداختیم وتوانستیم اکسید سیلیکون فوق نازکی بر زیر لایه ی سیلیکون رشد دهیم که یک رشد خود - محدودکننده ای را نشان داده است