CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

گواهی نمایه سازی مقاله بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) و مقایسه پارامترهای کلیدی آن با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET

عنوان مقاله: بررسی ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی (CNFET) و مقایسه پارامترهای کلیدی آن با MOSFET bulk و UTSOI MOSFET
شناسه (COI) مقاله: NANOG01_038
منتشر شده در کنفرانس علوم و فناوری نانو در سال ۱۳۹۳
مشخصات نویسندگان مقاله:

محمد تقی پور - دانشجوی کارشناسی ارشد ، پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه کاشان

خلاصه مقاله:
در سال های اخیر یک تکنولوژی کاربردی جدید به نام نانوالکترونیک ظهور یافته است. با توجه به نظریه ی گوردن مور مبنی براینکه هر 81 ماه ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه ی آن نیز نصف می شود پس باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه آن به کمتر از یک نانومتر برسد.پس از انجام آزمایش های بسیار دانشمندان به این نتیجه رسیدند که نانولوله ای کربنی که اساس ساختار آنها از کربن است می تواند جای ساختار قدیمی سیلیکونی را بگیرد . با توجه به این که تغییراتی همچون : قدرت سوئیچ پذیری بالاتر ، منحنی های ولتاژ به جریان ایده آل تر ، توزیع سرعت انتقال کربن و تحرک پذیری بهتر را در ترانزیستور های نسل جدید به همراه خواهد داشت و همچنین در مدارات مجتمع به کار برده شده می تواند باعث جریان کشی کمتر که خود منجر به توان مصرفی پایین تر و در نتیجه بهبود کارایی نسبت به ماسفت های سیلیسیمی می شود. در این مقاله ابتدا ساختار ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی از لحاظ ساختار هندسی، روش های ساخت و پیاده سازی و همچنین نحوه عملکرد و تئوری ایجاد جریان مورد بحث قرار می گیرد ،سپس مقایسه ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی با دیگر ترانزیستورهای اثر میدان از دیگر مباحث مطرح شده در این مقاله می باشد.

کلمات کلیدی:
نانو لوله های کربنی ، ترانزیستور CNFET ، bulk MOSFET ، UTSOI MOSFET

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: http://www.civilica.com/Paper-NANOG01-NANOG01_038.html