با فرض برقراري جريان الكتريكي در گراف مولكولي يك نانو مخروط كربني، هر پيوند (يال) به عنوان سيمي بامقاومت الكتريكي واحد در نظر گرفته شده بر اين اساس مقاومت الكتيكي موثر بي هر دو اتم (راس) كربن از گراف مولكولي، بر اساس روابط موجود در نظريه گراف به دست مي آيد. انديس كيرشهف كه به صورت [فرمول در متن اصلي ] بر حسب فاصله مقاومت r ij تعريف مي شود. به وسيله روابط موجود در نظريه شبكه هاي الكتريكي محاسبه مي شود. هدف اصلي اين سمينار محاسبه اين انديس براي نانو مخروط CNC[n] و فولرن ها است.

كلمات كليدي:

فاصله مقاومت ، انديس كيرشهف ، ماتريس لاپلاسي