هاجر توحیدی - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، گروه فیزیک ، دانشگاه زنجان
علی رضا مشفق - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، پژوهشکده علوم و فناوری نا
امید اخوان - دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران

دراین تحقیق لایه های نازک SiO2 بر روی زیر لایه ITO حاوی نانو ذرات اکسید مس به روش سل – ژل تهیه شدند. بامحاسبه گاف انرژی و آنالیز XPS، حضور فاز Cu2O تایید شد. خواص سطحی نمونه ها توسط میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) ، مورد ارزیابی قرار گرفت و میانگین اندازه ذرات روی سطح نمونه های پخت شده دمای 200 درجه سانتی گراد حدود 100nm بدست آمد. آنالیز XRD اندازه نانو کریستالهای CuO با جهت گیری های (111) , (010) به ترتیب 9nm , 23nm نشان داد. خاصیت الکتروکرومیکی لایه ها برای غلظت های 60% و 45% بترتیب 30 و 50 درصد مشاهده شد.

نانوذرات اکسید مس ، الکتروکرومیک ، سل - ژل