نگین معنوی زاده - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
هادی ملکی - پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران
رضا افضل زاه - گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

لایههای نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) بر روی زیرلایههای شیشهای به شیوه کندوپاش RF با توان 280 وات و با استفاده از هدف سرامیکی ITO (%In2O3-SnO2 ،90-10 wt لایه نشانی شده، سپس عملیات پخت بعد از انجام لایه نشانی، در محیط خلاء انجام گرفته است . مقاومت الکتریکی، خواص اپتیکی و ساختار کریستالی این لایهها به ترتیب توسط آنالیزهای مقاومت چهار پروبی، طیف سنج UV/VIS/IR و XRD بررسی شده است . نتایج نشان میدهند که با افزایش دمای پخت در خلاء نسبت به پخت در شرایط مشابه اما در محیط اتمسفر، خواص کریستالی و مقاومت الکتریکی بهبود یافته و شفافیت مناسبی حاصل می گردد . مقاومت الکتریکی لایهها قبل از پختΩcm 19ضربدر ده به توان منفی 4 است که با افزایش دمای پخت در خلاء تا 500 °C به Ωcm ٧/٣×10به توان -5 کاهش مییابد