محمد روح اله یزدانی - استادیار/دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوراسگان
ناهید امینی فیل آبادی - کارشناس ارشد/شهرک علمی و تحقیقاتی اصفهان

در مبدل های سوئیچینگ قدرت به خاطر تغییرات سریع ولتاژ و جریان، تداخل الکترومغناطیسی (EMI) ایجاد می شود. از جمله توپولوژیهای پرکاربرد سوئیچینگ در منابع تغذیه توان پایین و متوسط، مبدل سوئیچینگ فوروارد است که در آن نیاز به بازنشانی ترانسفورمر است. در این مقاله، برای پیش بینی سطح EMI هدایتی، ابتدا یک مبدل فوروارد با سیم پیچ بازنشاننده مدل سازی می شود. جهت ارزیابی نتایج مدل سازی، نتایج عملی اندازه گیری EMI نیز ارائه می شود. برای انتخاب بهینه روش بازنشانی مناسب از دید EMI، سه روش مختلف بازنشانی هسته به کمک نتایج عملی با هم مقایسه می شود. پس از انتخاب روش بازنشانی مناسب، دو روش کاهش EMI در این مبدل فوروارد پیشنهاد شده و تاثیر عملی کاهش EMI مبدل ارائه می شود.

تداخل الکترومغناطیسی, سازگاری الکترومغناطیسی, مبدل سوئیچینگ فوروارد, EMI