مهدی محمدخانی غیاثوند - دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، تهران،ایران
زهرا آهنگری - استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، تهران، ایران
حامد نعمتیان - استادیار، گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، تهران، ایران

در این مقاله مشخصه های الکتریکی ترانزیستور تونلی بدون پیوندInAs/GaAs۰.۱Sho۹.۹ با آلایش الکتریکی از نوع n در ابعاد نانو مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. اثر برخی از پارامترهای مختلف ساختاری بر مشخصه های الکتریکی افزاره به منظور طراحی یک ترانزیستور تونلی بدون پیوند با آلایش الکتریکی با سرعت کلید زنی بالا، جریان حالت روشن بالا و سوئینگ زیر آستانه کم تبیین شده است. این افزاره دارای فرآیند ساخت ساده تری نسبت به ترانزیستور های تونلی متداول است و آلایش ناحیه سورس نه به صورت فیزیکی و تنها با اعمال میدان الکتریکی ایجاد میشود. تابع کار گیت و ولتاژ گیت پلاریته بر روی ناحیه سورس از مهمترین پارامترهای ساختاری هستند که لازم است مقدار بهینه ای برای آنها ایجاد شود. مطابق نتایج بدست آمده از شبیه سازی و به ازای تابع کار مناسب۴/۷eVبرای هر دو گیت کنترل و پلاریته، به بهترین مشخصه خروجی شامل جریان حالت روشنA/um ۴٫۰۶۸۱۰۵، جریان حالت خاموشA/um۴٫۲۳×۱۰ -۱۱، نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش ۵+۹٫۶۸×۱۰، ولتاژ آستانه ۰/۱V و سوئینگ زیر آستانه برابر۱۰mV/decدست یافتیم.

پیوند نامتجانس، ترانزیستور تونلی، تونل زنی نوار به نوار، سوئینگ زیر آستانه