حمیده گدازگر - دانشگاه تربیت مدرس
محمدکاظم مروج فرشی - دانشگاه تربیت مدرس
مرتضی فتحی پور - دانشگاه تهران،

برای کاهش احتمال تونل زنی نوار به نوار - 1 ، یک ترانزیستور آی ماس 2 با ساختار نوار 3 پلکانی 4 ناهمگون 5 ارائه شده است. بهره گیری ازمهندسی شکاف انرژی در این ساختار باعث کاهش V 2/2 در ولتاژ شکست ترانزیستور نسبت به آی ماس Si و SiGe شده است. از آن جا که ماده ی با شکاف انرژی بزرگتر در سمت سورس قرار دارد، جریان خاموش آن ده مرتبه کمتر است

آی ماس، تونل زنی نوار به نوار، ولتاژ شکست، یونیزاسیون برخوردی