علی رضائی - دانشگاه تفرش
مهدی جعفری پناه - دانشگاه تفرش

در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی مد ولتاژ با استفاده از ترانزیستورهایCMOS بایاس شده در ناحیه اهمی و اشباع ارائه شده است. عمده پیشرفت این ضرب کننده کاهش توان مصرفی، افزایش رنج ورودی و افزایش پهنای باند میباشد. این ضرب کننده بصورت کاملاًCMOSپیادهسازی شده که با تکنولوژی دیجیتال سازگار میباشد. این مدار با تکنولوژی 0/18μm طراحی و با نرم افزارHspice و ولتاژ تغذیه 1/2 شبیه سازی شده است. نتایج شبیهسازی بیانگر کاهش توان مصرفی، کاهشTHD و زیاد بودن پهنای باند میباشد که این ساختار را برای کاربردهای مختلف در سیستمهای آنالوگ مناسب مینماید

طراحی توان پایین، ضرب کنندهCMOS مدارات ولتاژ پایین