علی مثنوی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر ری،گروه برق-مخابرات، تهران، ایران
یاشار اصفهانی منفرد - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر ری،گروه برق-مخابرات، تهران، ایران
علیرضا ملکی جوان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد شهر ری،گروه برق-مخابرات، تهران، ایران

در این مقاله ویژگی پاشندگی فیبرهای کریستال فوتونیکی تحت شرایط خمش مورد بررسی قرار گرفته است. با استفاده از روش تفاضل محدود در حوزه دامنه FDTD به شبیه سازی اثر خمش فیبر بر روی پاشندگی پرداخت شده است. نتایج شبیه سازی نشان داد هر اندازه شعاع خمش بیشتر شود، پاشندگی فیبر نیز افزایش خواهد یافت. ضمنا برای مرسوم ترین نوع فیبرهای کریستال فوتونیکی (شبکه شش ضلعی با قطر حفره های هوایی 1 مایکرومتر) در بازه خمش 2 میلی متر تا 8 میلی متر، فیبر کریستال فوتونیکی همچنان قابلیت هدایت نور را خواهد داشت و اگر در این بازه شعاع خمش از 8 میلی متر بیشتر شود، مقدار بیشتری از نور از هسته خارج شده و در نتیجه فیبر دارای پاشندگی بیشتری خواهد شد.

پاشندگی،فیبرهای کریستال فوتونیکی،شعاع خمش،تلفات،روش تفاضل محدود