حسن دیباجی - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
مجید مجتهدزاده - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج
محسن صالح کوتاهی - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه فیزیک
عبدالجواد نوین روز - سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

گاز متان با انرژی 90 keV و گستره دز از / cm 2 یون 4 ×10به توان 17 تا 3/2 ×10 به توان 18 درون سیلیکون کاشته شده است . دمای زیر لایه ها در حین کاشت 570 0 C و بازپخت بعدی در دمای 980 0 C بوده است . اندازه گیری های FTIR نشان می دهد که بلافاصله بعد از کاشت، پیوند بین کربن و سیلیکون برقرار شده و کاربید سیلیکون آمورف هیدروژن دار ) ) a−SiC : H تشکیل و بعد از بازپخت، لایه های آمورف به β −SiC تبدیل شده اند . در این مقاله نشان داده شده است که میزان کریستالیزه شدن β −SiC از دز / cm 2 یون 4 ×10 به توان 17 تا دز 1/2 × 10به توان 18 افزایش و بعد از این دز تا 3/2 × 10به توان 18 کاهش یافته است . بنابراین دز بهینه ای برای تشکیل β −SiC وجود دارد . همچنین در این مقاله ضخامت لایه ها بوسیله طیف سنجی FTIR محاسبه شده است