نیما شاه پری - دانشگاه صنعتی اصفهان
محمدمهدی شانثی - دانشگاه کاشان

ترانزیستورهای اثر میدانی در ساخت انواع مدارهای مجتمع کاربرد وسیعی دارند، اما با کوچک شدن ابعاد و ورود این ترانزیستورها به ابعاد بسیار زیر یک مایکرون، مشکلات متعددی برای عملکرد آنها به وجود می آید که اثرات کانال کوتاه از آن جمله هستند. از این رو المان های جایگزینی ارائه شده اند که در ابعاد بسیار کوچک خواص الکتریکی مطلوبی داشته باشند. از جمله ی این المان ها می توان به نانوترانزیستورهای کربنی اشاره کرد. در این تحقیق سعی شده است تأثیر تغییر مشخصه های فیزیکی نانولوله بر روی منحنی های جریان و ولتاژ ترانزیستور مشخص شود. به این منظور از نرم افزار NanoHub برای شبیه سازی استفاده شده است.

نانولوله های کربنی، نانوترانزیستور اثر میدان، نانولوله های تک جداره، کایرالیتی