مهدی طالبی علی - دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی مکانیک پردیس علوم و تحقیقات یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یزد، ایران
سید امیر عباس علومی - استادیار، گروه مهندسی مکانیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یزد، ایران
سید علی آقا میرجلیلی - استادیار، گروه مهندسی مکانیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی یرد ،ایران

دراین تحقیق خواص تشعشعی ساختارهای چندلایه ای، شامل زیر لایه سیلیکون آلاینده کم با پوشش های غیر فلزی منواکسید سیلسیم، دی اکسید سیلسیم، بیسموت سیلیکون اکسید و بیسموت ژرمانیوم اکسید بررسی شد. از روش ماتریس انتقال جهت محاسبه خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای استفاده شد به طوری که ثابت های نوری برای جنس های مختلف از هند بوک پالیک استخراج گردید. این ثابت های نوری بر حسب طول موج در نرم افزاراکسل مرتب شده و در محدوده ی طول موج های مختلف نمودار ضریب شکست(n) و ضریب استهلاک(k) رسم گردید و فرمول آن ها بر حسب طول موج بدست آمد. با استفاده از نرم افزار متلب و اعمال روش ماتریس انتقال ضریب جذب برای ساختارهای چند لایه ای بدست می آید. با مقایسه ضرایب جذب بهترین پوشش برای جذب بالای سلول خورشیدی انتخاب می گردد. زیر لایه سیلیکون در دمای اتاق و بازه طول موج، 0/4 تا 0/84 میکرومتر، دارای ضریب شکست و ضریب استهلاک ناچیز و در نتیجه ضریب گسیل ناچیز است. موج الکترومغناطیس با زاویه 10 درجه، به ساختار چندلایه ای برخورد می کند. طبق بررسی انچام شده در این مقاله نتایج حاکی است که درطول موج 0.50 میکرومتر بیشترین ضریب جذب برابر 0.879 و کمترین ضریب جذب برابر0.628 است.

خواص تشعشعی، لایه نازک، سیلیکون آلاییده کم، الگوریتم، ضریب جذب، ضریب گسیل