CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

تحلیل و مدلسازی دو بعدی پتانسیل و ولتاژ آستانه ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی بدون اتصال با در نظر گرفتن اثرات حاملهای داغ

عنوان مقاله: تحلیل و مدلسازی دو بعدی پتانسیل و ولتاژ آستانه ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی بدون اتصال با در نظر گرفتن اثرات حاملهای داغ
شناسه ملی مقاله: ICEASCONF01_099
منتشر شده در کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:

مرضیه طالبی - دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد اصفهان ایران
سیدامیر هاشمی - دانشگاه شهرکرد دانشکده فنی و مهندسی شهرکرد ایران
مهدی دولتشاهی - دانشکده مهندسی برق واحد نجف آباد دانشگاههآزاد اسلامی واحد نجف آباد اصفهان ایران

خلاصه مقاله:
در این مقاله یک مدل دو بعدی پتانسیل کانال ماسفت دو گیتی بدون اتصال با بار محلی با استفاده از ترکیب روش مد ناپایدار و روش تقریب سهمی استخراج شده که برای شرایط کاری زیر آستانه تا آستانه برقرار است کانال ترانزیستور به سه ناحیه تقسیم شدهاست که در ناحیه دوم بار محلی ناشی از اثر میدان الکتریکی درین ایجاد می شود که در پتانسیل کانال تاثیر می گذارد پتانسیل الکتریکی درون کانال از مجموع دو قسمت پتانسیل کانال بلند و تغییرات پتانسیل به دلیل اثر جانبی میدان درین حاصل می شود این مدل برای کلیه نقاط کانال و برای حالت متقارن و نامتقران برقرار است براساس مدل ارایه شده برای پتانسیل رابطه ای تحلیلی برای ولتاژ آستانه ترانزییستور به دست آمده است که در آن اثرات بارهای محلی بر روی افت ولتاژ آستانه وارد شده است. تطبیق مناسب نتایج مدل معرفی شده برای پتانسیل کانال و ولتاژاستانه در ماسفت دو گیتی بدون اتصال با نتایج حاصل از شبیه سازی این ترانزیستور با نرم افزار ATLAS درستی مدل ارایه شده را نشان می دهد.

کلمات کلیدی:
اثرات حاملهای داغ، بار محلی، پتانسیل الکتریکی، ماسفت دو گیتی بدون اتصال، ولتاژ استانه

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/482952/