وحیدرضا صبوری - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران
نجمه چراغی شیرازی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران

در این مقاله یک مبدل سطح ولتاژ که قابلیت تبدیل سطوح ولتاژ بسیار پایین ورودی به سطح بالاتر با کاربرد در فرکانسهای بالا ، ارائه شده است. به منظور جلوگیری از اتلاف توان استاتیک ، در ساختار پیشنهادی از درایو جریان بگونه ای استفاده شده که در طی انتقال تنها زمانی که در آن سطح منطق سیگنال ورودی با سطح منطق خروجی متناظر نمی باشد، روشن است. عملکرد ساختار پیشنهادی تحلیل و بررسی شده و نتایج شبیه سازی پیشنهادی در تکنولوژی-CMOS- nm90 ن مایش داده شده است که نشان می دهد مدار در فرکانس های بالا به خوبی عمل می کند. مدار پیشنهادی p1 می تواند در فرکانسهای بالاتر از GHz ۱ تا فرکانس GHZ 3.3 به خوبی عمل کند. عملیات تبدیل در فرکانس GHZ2.9 در ولتاژVDD_H=1.0v بدون خطا انجام شده است. در فرکانس بیش از MHz 100 مشاهده می شود بسیاری از مدارات عملکرد خود را از دست می دهند. مدار پیشنهادی p1 می تواند به راحتی عملیات تبدیل در فرکانس GHZ 2.9 در ولتاژ VDD_H=1.0v بدون خطا انجام دهد

شیفت سطح ولتاژ – مبدل چند سطح – مبدل ولتاژ